In Groningen is een manier bedacht om uit een mix van enkelwandige koolstofnanobuisjes selectief de halfgeleidende exemplaren te vissen en er in een moeite door veldeffecttransistoren van te maken. Kwestie van zuinig zijn met de thiolen, schrijven Maria Antonietta Loi en collega’s in Advanced Materials.

Zulke nanobuisjes zijn te beschouwen als opgerold grafeen, en het hangt van de manier van oprollen af of ze halfgeleidend zijn of gewoon geleidend, net als een metaal. Die laatsten zouden een transistor kortsluiten, en moeten er dus tussenuit.

Al eerder werd ontdekt dat polyfluorenen selectief binden aan de structuur van de halfgeleidende buisjes. Het scheidingsprobleem leek daarmee opgelost en het leidde meteen tot een nog veel mooier idee. Nanobuisjes doen niet aan moleculaire zelfassemblage maar sommige polymeren wel, dus zou je de in polyfluoreen verpakte buisjes wellicht zo ver kunnen krijgen dat ze uit zichzelf tussen een paar elektrische contacten op een chip zouden gaan liggen?

Chemisch gezien lag de oplossing voor de hand: de polyfluorenen voorzien van zijketens met aan de uiteinden thiolen, zwavelhoudende groepen die binden aan goud. IBM Research in Zürich vroeg alvast patent aan op het idee. Probleem was alleen dat de gemodificeerde polyfluorenen veel minder selectief bleken te zijn en ook metaalachtige buisjes gingen binden, wat de transistoren verpestte.

Samen met de IBM-onderzoekers en collega’s van de universiteit van Wuppertal heeft Loi nu een heel simpele oplossing ontdekt: minder zijketens gebruiken. Een polyfluoreen met slechts 2,5% thiolgroepen lijkt het beste te voldoen.

Er zijn al transistoren van gemaakt: de buisjes zijn gemiddeld 500 nm lang, en als je de contacten 300 nm uit elkaar legt en tussen twee transistoren meer dan 500 nm tussenruimte aanhoudt, blijkt het prima te werken.

bron: RUG