In Zuid-Korea is bedacht hoe je op industriële schaal halfgeleidende 2D-lagen van een dichalcogenide zoals MoS2 kweekt op een 3D-siliciumstructuur.

Ze ontstaan door een mengsel van Mo(CO)6 en (C2H5)2S op te dampen bij 535 °C onder nauwkeurig gecontroleerde omstandigheden, schrijven Gangtae Jin, Moon-Ho Jo en collega’s in Science Advances. De polykristallijne lagen van een handvol atomen dik hechten alleen dankzij vanderwaalskrachten, en met water kun je ze makkelijk losweken om elders te gebruiken als vrijstaande membranen. Volgens de auteurs behouden ze daarbij volledig hun 3D-vorm. Ze demonstreerden het door 4-inch-siliciumplakken te coaten die ze hadden voorzien van naaldjes of groefjes op micrometerschaal.