Frictie tussen siliciumoppervlakken blijkt voornamelijk afhankelijk van de siloxaanbindingen die tussen de twee oppervlakken vormen, laten Amsterdamse onderzoekers zien in Physical Review Letters.

Frictie is lastig te voorspellen en controleren, vooral omdat oppervlakken op nanoschaal nooit helemaal vlak zijn. Wrijving controleren is van belang voor onder meer het voorspellen van aardbevingen en bij het miniaturiseren van halfgeleiderapparaten. Een groep onderzoekers van de Universiteit van Amsterdam laat nu zien dat de frictie tussen twee siliciumoppervlakken vooral afhangt van de chemische bindingen die de twee oppervlakken met elkaar aangaan. Met die informatie kun je de hoeveelheid frictie controleren.